我国推动新型电力电子器件产业化

为推动节能降耗，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门将安排补贴资金支持新型电力电子器件产业化。

　　随着我国智能电网、高铁、新能源汽车以及节能家电等产业的发展，对５英寸及６英寸晶闸管、集成门极换流晶闸管（ＩＧＣＴ）、 绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的需求量迅速增大。２００９年我国ＩＧＢＴ的市场规模为５３亿元左右，预计未来几年ＩＧＢＴ市场规模将年增２０％－３０％。

　　由于我国只有少数小功率ＩＧＢＴ的封装线，还不具备研发、制造管芯的能力和大功率ＩＧＢＴ的封装能力，因此，目前国内市场所需的高端电力电子器件主要依靠进口，技术上长期受制于人。

　　国家发改委表示，２０１０年将支持金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）、ＩＧＣＴ、ＩＧＢＴ、超快恢复二极管（ＦＲＤ）等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化。

　　据悉，国家发改委将组织实施新型电力电子器件产业化专项，鼓励符合条件的企业申请国家补贴资金支持。国家补贴资金主要用于新型电力电子器件产业化项目的研究开发、购置研究开发及工程化所需的仪器设备、改善工艺设备和测试条件、建设产业化或工程化验证成套装置和试验装置、建设必要的配套基础设施、购置必要的技术和软件等。