标题:上海微系统所硅基光互连研究取得突破
作者:wthwj
日期:2010-03-26 09:22
内容:
硅基光互连技术旨在采用CMOS技术生产开发硅光子器件，将硅基光子器件和电路集成在同一硅片上，“光子”是其中信号传输的主要载体，是发展大容量、高性能并行处理计算机系统和通信设备的必然途径。集成电路的工作速度正遵循着“摩尔定律”不断提高，然而芯片内、芯片间以及计算机内部沿用金属导线作为连线的传统方式已经成为约束计算机互连网络系统数据传输速率提升的瓶颈。解决这一矛盾的办法是将微电子技术和光子技术结合起来，开发光电混合的集成电路，在集成电路内部和芯片间引入集成光路，既能发挥光互连速度快、无干扰、密度高、功耗低等优点，又能充分利用微电子工艺成熟、高密度集成、高成品率、成本低等特点。
上海微系统所SOI小组与上海宏力半导体制造有限公司研究人员密切合作，利用双方在SOI材料科学研究和集成电路制造方面的优势，在国内首次利用标准CMOS工艺平台开发出10Gbps速率的硅光调制器芯片，可以和电路集成在同一SOI硅片上，满足芯片内、高清传输、互联网等光互连应用的速率要求，在新一代高性能计算机、光通信设施和消费类电子产品发展中有着广阔的应用和市场前景。这一突破表明我国在硅基光互连领域具备了冲击国际先进水平的能力。
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